parçacık ölçüm teknolojisi
Pek çok durumda, bir tozun partikül boyutunun ve partikül şeklinin dağılımı, ürün özellikleri, ürün kalitesi ve işleme, taşıma ve depolama davranışı üzerinde önemli bir etkiye sahiptir.
Karakterizasyon için uygulamaya bağlı olarak uygun bir yöntemin kullanıldığı farklı fiziksel ölçüm teknikleri mevcuttur.
Parçacık boyutu dağılımlarını 100 nm'nin altındaki aralığa kadar ölçüyoruz.
Statik lazer kırınımı (ISO 13320)
Parçacıkların saçtığı lazer ışığı farklı açılarda algılanır.
Kaydedilen kırınım ve saçılan ışık modelleri, matematiksel algoritmalar kullanılarak kütle tabanlı parçacık boyutu dağılımlarına dönüştürülür.
Ölçüm aralığı: 40nm ila 2000µm
Numune hazırlama: kuru ölçüm ve/veya ıslak ölçüm
-
100nm'den 100µm'ye kadar parçacıklar için optimum uygulama aralığı
-
Toz karışımlar ve saf maddeler için evrensel olarak uygulanabilir yöntem
-
Simple Süspansiyon ve toz olarak numune hazırlama
-
Bilinen optik özelliklere sahip saf maddeler 40nm ölçülebilir parçacık boyutları.
-
Dispersiyonlar, hacimce yaklaşık %0,5'lik bir katı konsantrasyonundan ölçülebilir
-
Hacim dağılımlı parçacık boyutu dağılımlarının çıktısı.
Lazer kırınımı kullanarak PSDA ölçümü
Dinamik Işık Saçılımı DLS (ISO 13321)
Parçacık boyutunun, parçacıkların bir süspansiyon veya emülsiyon içinde hareket ettiği difüzyon hızından türetilmesi. Süspansiyon lazer ışığı ile ışınlanır ve saçılan ışık geniş açılarda (90° ve 180°) tespit edilir. Parçacıkların hareket hızı, sinyalin dalgalanmasıyla ilişkilidir ve küçük parçacıklar hızlı bir sinyal dalgalanması üretir. Sonuç, bir yoğunluk dağılımıdır.
Ölçüm aralığı: 0,5nm ila 10µm
Numune hazırlama: ıslak ölçüm
-
<100nm partiküller için optimum uygulama aralığı
-
Ayrıntılı numune hazırlama (seyreltme, filtrasyon, partiküllerin stabilizasyonu)
-
Ölçüm viskoziteye ve sıcaklığa bağlıdır
-
Daha zayıf nanoparçacık sinyallerinin kaba parçacık kontaminasyonundan gelen güçlü sinyallerle üst üste bindirilmesi. Yani, kaba parçacıkların varlığında nanoparçacık analizi mümkün değildir.
-
Yoğunluğa göre dağıtılmış parçacık boyutu dağılımlarının çıktısı
Parçacık sayımı empedans ölçüm yöntemi (ISO 13319)
Empedans ölçüm yöntemi ilkesine dayanan bir parçacık sayma yöntemi. Parçacıklar ölçüm bölgesinden geçerken dirençteki değişiklik, parçacık hacmiyle orantılıdır.
-
Ölçüm aralığı: 0,2 µm - 1600 µm
-
Numune hazırlama: ıslak ölçüm
-
"Büyük beden" tespiti
-
Çok dar parçacık boyutu dağılımlarını ölçmek için uygun yöntem
-
Geniş bir ölçüm aralığı için çok sayıda kılcal damar mevcuttur.
Mikro- und Nanoanalyse _cc781905 -5cde-3194-bb3b-136bad5cf58d_ _cc781905-5cde-3194- bb3b-136bad5cf58d_ _cc781905- 5cde-3194-bb3b-136bad5cf58d_ _cc781905-5cde-3194-bb3b -136bad5cf58d_ _c c781905-5cde-3194-bb3b-136bad5cf58d_ _cc781905-5cde-3194 -bb3b-136bad5cf58d_ _cc781905 -5cde-3194-bb3b-136bad5cf58d_ _cc781905-5cde-3194- bb3b-136bad5cf58d_ _cc781905- 5cde-3194-bb3b-136bad5cf58d_
Yüzey analizi için kullanılan TOF-SIMS, Microfocus XPS ve Auger taramalı elektron mikroskobu yöntemleri, inorganik ve organik malzemelerin kimyasal bileşimini, yapısını ve bağlanma durumlarını analiz etmek için uygundur. Ayrıca kimyasal 2 boyutlu haritaların kaydı ve derinlik profillerinin kaydı mümkündür. Mikro, 100 altı nanometre ve nanometre ölçeklerinde çalıştıkları için yöntemler birbirini tamamlayıcı niteliktedir.
Mikrofokus X-ışını fotoelektron spektrometresi XPS
Mikrofokus XPS ile bir numunenin yüzeyinin yerel kimyasal bileşimi (örneğin, nanoparçacıkların kimyasal haritası) belirlenir. Farklı elemanlar ayırt edilebilir ve bağlanma durumları tarif edilebilir. Sonuçlar, kimyasal bileşiklerin yerel dağılımını yansıtan 2 boyutlu yoğunluk profilleridir. Ar iyonları püskürtülerek yüzey çıkarılabilir. Oksit tabakaları çıkarılır ve geriye saf, oksitlenmemiş bir tabaka kalır. Artan katman derinliği ile elementlerin konsantrasyonundaki bir değişiklik bu şekilde ölçülebilir.
Mikron aralığında kimyasal bileşim, kimyasal yapı ve bağlanma durumları.
-
İnorganik ve organik maddelerin analizi.
-
Bağlanma ve oksidasyon durumlarının tanımlanması.
-
2D haritalama
-
Derinlik profillerinin oluşturulması
-
Çok sayıda numune sistemi (metaller ve alaşımlar, polimerler, seramikler)
Sensitivity: _cc781905-5cde -3194-bb3b-131cf5d5b-1 %1 atom
Bilgi derinliği: 1nm - 10nm
Yanal çözünürlük: < 10µm
Derinlik profili oluşturma: 1 nm'ye kadar dikey çözünürlük
Bir XPS 'nin kimyasal 2B haritasıyüzey analizi
Enstrüman PHI 5000 VersaProbe
Kimyasal analiz
ICP-OES eleman taraması
Druckaufschluss der Pulverprobe nach DIN EN 13656 und semiquantitative Übersichtsanalyse _cc781905-5cde-3194 -bb3b-136bad5cf58d_by ICP-OES by_according to DIN EN ISO DIN EN 11885.
Analiz sonucu is you a s alırsınızemiquantitative Solid Analysis 69 elementin element taraması.
RFA analizi
solid DIN EN 15309'a dayalı genel bakış analizi.
Analiz sonucu olarak yarı kantitatif bir element taraması (metaller) alacaksınız.